[14a-1B-1~11] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [14a-1B-4] V添加ZnO薄膜の不安定核形成の抑制に関する検討

〇千葉 博¹、渡部 晃弘¹、川島 知之¹、鷲尾 勝由¹ (1.東北大院工)

キーワード：酸化亜鉛、薄膜成長、バナジウム