[14a-1B-1~11] 21.1 Joint Session K

[14a-1B-8] The excitation processes in atmospheric pressure N₂ plasma with the addition of small amount of O₂ and the formation of highly resistive ZnO films

〇(D)Yukinori Nose¹, Takuya Kiguchi¹, Takada Kenshi¹, Takeshi Yoshimura¹, Atsushi Ashida¹, Tsuyoshi Uehara², Norifumi Fujimura¹ (1.Osaka Prefecture Univ., 2.Sekisui Chemical Co., LTD.)

Keywords:atmospheric pressure plasma,zinc oxide,chemical vapor deposition

常圧プラズマを用いたCVDでは高反応性を有する活性種が原料ガスと高頻度に衝突を繰り返し、薄膜が成長するため、気相反応の制御に関する指針を確立することが重要である。我々はN₂/O₂混合ガス中のO₂流量比1%以下という極少量のO₂添加領域においても酸化活性な成長が可能であることを見出した。今回はそのプラズマ中の励起過程を詳細に調査し、励起過程で生じた活性種がZnO薄膜の高抵抗化に及ぼす影響について報告する。