[14a-1B-1~11] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[14a-1B-8] 微量O₂添加常圧N₂プラズマの励起過程と高抵抗ZnO薄膜の作製

〇(D)野瀬 幸則¹、木口 拓也¹、髙田 賢志¹、吉村 武¹、芦田 淳¹、上原 剛²、藤村 紀文¹ (1.阪府大、2.積水化学)

キーワード：常圧プラズマ、酸化亜鉛、化学気相成長

常圧プラズマを用いたCVDでは高反応性を有する活性種が原料ガスと高頻度に衝突を繰り返し、薄膜が成長するため、気相反応の制御に関する指針を確立することが重要である。我々はN₂/O₂混合ガス中のO₂流量比1%以下という極少量のO₂添加領域においても酸化活性な成長が可能であることを見出した。今回はそのプラズマ中の励起過程を詳細に調査し、励起過程で生じた活性種がZnO薄膜の高抵抗化に及ぼす影響について報告する。