[14a-1C-1~10] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

△ [14a-1C-3] フレキシブルＣＭＯＳ回路、温度センサ三次元積層集積デバイス

〇本田 航¹、原田 真吾¹、石田 昌平¹、有江 隆之¹、秋田 成司¹ (1.阪府大工)

キーワード：フレキシブルデバイス、積層集積、温度センサ

本研究では、カーボンナノチューブを用いたP型TFTとInGaZnO薄膜を用いたN型TFTをフレキシブル基板上に集積することで低消費電力なCMOS回路を実現する。またこれらのTFT及びセンサを従来の横方向に加え縦方向にも集積化することでフレキシブル基板上での高集積化を実現する。本発表では、CMOS回路に温度センサを積層集積したデバイスの作製及び、その電気的・機械的特性を解析したので報告する。