[14a-1C-1~10] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[14a-1C-9] シリコンフォトニクス光集積回路におけるプロセス課題 (Ⅳ)
Ge受光器に向けた選択Ge/Siエピ成長技術開発

〇木下 啓藏¹、奥村 滋一¹、藤方 潤一¹、堀川 剛^1,2、最上 徹¹ (1.PETRA、2.産総研)

キーワード：シリコンフォトニクス、Ge、エピタキシャル成長

シリコンフォトニクスデバイスで光信号は、Si上にエピタキシャル成長したGe受光器で電気信号に変換される。受光器特性では暗電流低減が特に重要である。そのため、マスク上への横方向成長ゼロで低欠陥密度のGeエピ成長と、Ge上へのSiキャップエピ成長が必要である。今回、成長時の原料fluxとHCl添加の効果の検討を行った。その結果、受光器に適用可能な高品質Ge/Siエピ積層膜を得た。