[14a-1D-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [14a-1D-3] MOVPE成長N極性(000\overline{1})p型GaNの正孔濃度に与えるMg/Ga・V/III原料比の影響

〇(M1)野々田 亮平¹、正直 花奈子¹、谷川 智之¹、窪谷 茂幸¹、片山 竜二¹、松岡 隆志¹ (1.東北大金研)

キーワード：窒素極性(000-1)、p型GaN、有機金属気相成長法

III族極性(0001)（+c面）InGaNをc軸方向に反転させたN極性(000\overline{1})（–c面）InGaNは、+c面より優れたIn取り込み効率を有しており、可視光全波長域で発光する–c面InGaN LEDの作製が報告されている。–c面GaN成長においては、表面モフォロジが荒れやすく、酸素などのドナー性残留不純物を取り込みやすいことから、p型伝導を得るには成長条件の厳密な最適化が必要である。本研究では、–c面p型GaNの詳細なMOVPE成長条件と正孔濃度との関係を明らかにした。