[14a-1F-1~2] 8.9 プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演

[14a-1F-1] [プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演] 加工変換差およびSi リセス変動における開口率とパターン構造の影響

〇久保井 信行¹、辰巳 哲也¹、深沢 正永¹、木下 隆¹、小町 潤¹、安斎 久浩¹ (1.ソニー（株）)

キーワード：エッチング、加工変換差、シミュレーション

先端CMOSデバイス開発におけるトランジスタゲートの加工寸法やそれに影響を受けるプラズマ起因のダメージバラツキの定量予測・制御を目的として、様々なパターンを搭載した開口率の異なるウェハの加工結果を基に、現象のモデル化、シミュレーション開発を行った。解析の結果、デバイス特性の向上には、従来のプラズマエッチングパラメータ制御に加え、パターンレイアウト設計との双方からの最適化が重要であることが分かった。