[14a-2M-1~11] 13.10 化合物太陽電池

[14a-2M-4] InAs量子ドットを積層したGaAs p⁺nダイオード中の欠陥準位

〇佐藤 真一郎^1,2、Schmieder Kenneth²、Hubbard Seth³、Forbes David³、Warner Jeffery²、大島 武¹、Walters Robert³ (1.原子力機構量子ビーム、2.NRL、3.RIT)

キーワード：III-V族 量子ドット、太陽電池、DLTS

III-V族半導体量子ドット(QD)デバイスは次世代超高効率太陽電池への応用が期待されているが、単結晶デバイスと比較すれば依然として多くの結晶欠陥が含まれており、欠陥準位の特性を明らかにする必要がある。今回、InAs量子ドット層を10層埋め込んだGaA pnダイオードをMOVPE法によって作製し、その欠陥準位をDLTS法を用いて調べた。この結果をInAs量子ドットを含まないGaAs pnダイオードと比較したところ、QDデバイス層に存在する特有の欠陥準位（多数キャリア捕獲準位・少数キャリア捕獲準位）を見出した。その詳細を報告する。