[14a-2N-1~11] 3.15 シリコンフォトニクス

[14a-2N-10] Ge選択成長におけるSiO₂マスク上への横方向成長促進

〇(M2)八子 基樹¹、水野 泰孝¹、河合 直行¹、和田 一実¹ (1.東大院工)

キーワード：ゲルマニウム、選択成長

選択成長を用いたGeの成長において、SiO₂上へせり出して成長する際の選択成長マスク幅と横方向への成長幅の相関を明らかにし、Ge成長速度の面方位依存性から相関を説明する。(311)面発現の温度依存性にも触れ、横方向成長を促進するための成長条件を提案する。