[14a-2N-1~11] 3.15 シリコンフォトニクス

[14a-2N-11] 選択成長Siキャップ層適用低暗電流Ge受光器の開発

〇奥村 滋一¹、木下 啓藏¹、藤方 潤一¹、下山 峰史¹、小野 英輝¹、田中 有¹、森戸 健¹、堀川 剛¹、最上 徹¹ (1.PETRA)

キーワード：ゲルマニウム、受光器

フォトディテクターの暗電流低減のために、Ge上のSiキャップ層の選択エピタキシャル成長を検討した。減圧CVD法にて、Siプリカーサとしてジクロロシラン(DCS)を適用し、670℃の比較的低い成長温度で、Si/Ge界面の相互拡散が抑制された平坦なSiキャップ層を実現した。同条件で厚さ16 nmのSiキャップ層を適用した金属-半導体-金属(MSM)型のGeフォトディテクターで1.28 nA/μm²の低い暗電流と、1.31 μmと1.55 μmそれぞれの光に対して高い量子効率を実現した。