[14a-2N-1~11] 3.15 シリコンフォトニクス

△ [14a-2N-6] n型ドーピングされたＧｅ導波路の光伝搬特性

〇奥村 忠嗣¹、小田 克矢¹、葛西 淳一¹、佐川 みすず¹、諏訪 雄二¹ (1.日立研開)

キーワード：ゲルマニウム、光学利得、レーザ

シリコンモノリシック集積光源の実現に向けて、ゲルマニウム(Ge)導波路の伝搬光強度に対する、n型ドーピングの効果を調べた。n型ドーピングされたGe導波路は、光励起強度の増加に伴って、導波路の利得・損失項 (g-α) が増加することを確認し、光学利得発現に有効な方法であることを示した。