[14a-2W-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[14a-2W-1] 混晶化合物半導体のIQB modelによる電子状態計算：III-V(ZB)

〇岸 彩香¹、小田 将人¹、篠塚 雄三¹ (1.和歌山大学システム工)

キーワード：III-V族、混晶、理論

zincblende構造をもつ9種のIII(=Al, Ga, In)-V(=P, As, Sb)族半導体から組み合わせられる18種の混晶半導体III_1-xIII’_x-VとIII-V_1-yV’_yについて電子状態をIQB modelを用いて計算し、その組成比依存性と傾向を詳しく解析した。疑似波数kに対する15個のenergy bandは、おおよそVCA（仮想結晶近似）で与えられる主バンドQABと5つの疑似局在状態QLS間の相互作用に支配され、組成比依存性に関し、主に３種に分類できることが分かった。