11:30 〜 11:45
△ [14a-4C-10] ダイヤモンド上への高信頼熱酸化SiO2膜の形成
キーワード：絶縁体、SiO2、ダイヤモンド
講演情報
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術
[14a-4C-1~10] 13.3 絶縁膜技術
2015年9月14日(月) 09:00 〜 11:45 4C (432)
座長:渡部 平司(阪大),井上 真雄(ルネサス)
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術
2015年9月14日(月) 09:00 〜 11:45 4C (432)
座長:渡部 平司(阪大),井上 真雄(ルネサス)
11:30 〜 11:45
キーワード：絶縁体、SiO2、ダイヤモンド