The 76th JSAP Autumn Meeting, 2015

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.3 Insulator technology

[14a-4C-1~10] 13.3 Insulator technology

Mon. Sep 14, 2015 9:00 AM - 11:45 AM 4C (432)

座長:渡部 平司(阪大),井上 真雄(ルネサス)

11:15 AM - 11:30 AM

[14a-4C-9] Dependence of SiC Substrate on Thermally Grown SiO2 Surface Roughness

〇(M1)KEISUKE BAMOTO1, RYU HASUNUMA1, KIKUO YAMABE1 (1.Univ. of Tsukuba)

Keywords:semiconductor,silicon carbide

SiCはSiに代わる次世代パワーデバイス材料として世界中で研究されているが、その熱酸化機構は未だに解明されていない。そのため、期待されるほどのデバイス特性が得られていない現状である。本研究では、Si面とm面の酸化速度とラフネスを比較調査した。