11:15 AM - 11:30 AM
[14a-4C-9] Dependence of SiC Substrate on Thermally Grown SiO2 Surface Roughness
Keywords:semiconductor,silicon carbide
SiCはSiに代わる次世代パワーデバイス材料として世界中で研究されているが、その熱酸化機構は未だに解明されていない。そのため、期待されるほどのデバイス特性が得られていない現状である。本研究では、Si面とm面の酸化速度とラフネスを比較調査した。