[14a-4C-1~10] 13.3 Insulator technology

[14a-4C-8] Roughness Growth on Oxide Surface and Interface during Thermal Oxidation of SiC

〇(M1)Ryu Nagai¹, Ryu Hasunuma¹, Kikuo Yamabe¹ (1.Univ. Tsukuba)

Keywords:semiconductor,SiC

次世代パワー半導体の材料であるSiCは多様な積層構造を持ち、その中でも4H-SiC Si面、C面を用いたデバイスの研究が最も盛んに行われてきた。しかし、SiC熱酸化機構において未解明の部分が多く、特にC面の酸化速度はSi面と比較して10倍ほど大きい理由も明らかになっていない。そこで、4H-SiC Si面、C面の熱酸化における酸化膜表面・界面のラフネスに着目し、Si面とC面の酸化速度の違いと放出Siの関係性について考察した。