[14a-4D-1~11] 13.7 ナノ構造・量子現象

△ [14a-4D-7] InGaAs/AlAsSb多重量子井戸におけるスピン緩和の観測

〇石川 友樹¹、牛頭 信一郎²、物集 照夫²、浅川 将輝¹、大木 俊介¹、竹内 淳¹ (1.早大先進理工、2.産業技術総合研究所)

キーワード：量子井戸、化合物半導体、スピン緩和

円偏光時間分解ポンププローブ反射計測によりInGaAs/AlAsSb多重量子井戸のスピン緩和現象を調べた。その結果、30 K ~ 200 Kの温度領域では正の温度依存性が見られ、200 K ~ 300 Kでは負の温度依存性が観測されるとともに、我々の以前の結果に比べ井戸幅の拡大によってスピン緩和時間が長くなることが明らかになった。