[14a-4E-1~7] 7.4 量子ビーム界面構造計測

[14a-4E-7] Si基板上のLa置換チタン酸ビスマス薄膜の構造及び結晶配向性と電気的特性

〇香野 淳¹、田尻 恭之¹ (1.福岡大・理)

キーワード：強誘電体、薄膜・界面構造、Ｘ線反射率・回折

化学溶液堆積法を用いてBi_4-xLa_xTi₃O₁₂ (BLT)薄膜をp型Si(100)基板上に直接堆積し、結晶配向の異なるBLT薄膜を作製することを試みた。薄膜の構造、結晶配向を明らかにし、Au/BLT/p-Si構造の電気特性との相関について調べた結果について報告する。