[14a-PB6-1~7] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[14a-PB6-6] AuとGeの同時スパッタによる Ge薄膜の結晶化の膜厚依存性

〇山本 怜¹、杉山 貴俊¹、神子 公男²、弓野 健太郎^1,3 (1.芝浦工大、2.東大生研、3.SIT RCGI)

キーワード：薄膜、Au Ge スパッタリング

半導体薄膜の成膜技術において, 現行の技術では結晶化に要する様々な問題により, 新たな結晶化技術の開発が求められている. Geは高価ではあるものの, Siより高い性能を発揮する為, 薄膜結晶化の恩恵を受けやすく, Ultra-thin body と呼ばれる, 膜厚が数nmの極薄膜上でトランジスタを作製する研究などが進められている. これらの極薄膜での結晶化を実現させる為に, まず膜厚の違いにより結晶化にどのような影響があるか知ることが重要であると考え, 本研究では, AuとGeを同時にスパッタし, 成膜させる手法を用いてGeの結晶化の膜厚に対する依存性を調査した.
その結果, Ge薄膜厚が45nm-50nmでXRDのピーク強度の急激な上昇が見られ, それに対応する成膜時間225sec-240secの間に結晶化が促進される要因が存在する可能性が見いだされた.