2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » 酸化物半導体の評価技術

[14p-1B-1~9] 酸化物半導体の評価技術

2015年9月14日(月) 13:15 〜 18:00 1B (133+134)

座長:反保 衆志(産総研),山本 哲也(高知工科大)

13:45 〜 14:15

[14p-1B-2] 硬X線光電子分光法(HAXPES)による金属酸化物薄膜の評価

〇小林 啓介1,2,3 (1.原子力研究機構、2.広島大学HiSOR、3.高知工科大)

キーワード:硬X線光電子分光(HAXPES)、金属酸化物薄膜、バンドギャップ内状態

バルク敏感な硬X線光電子分光法(HAXPES)による金属酸化物薄膜の電子状態評価について述べる。バンドギャップ内状態の検出とその起源、単結晶および多結晶薄膜の極性面の決定、太陽電池パッシベ-ション膜における固定電荷制御のコンビナトリアル解析など、放射光HAXPES およびCr K-alpha線(5.4 keV)による実験室HAXPESによる適用例を紹介し、HAXPESの酸化物解析への有用性を示す。