15:45 〜 16:00
[14p-1C-10] 熱CVDシリコン成膜におけるギャップフィル技術
キーワード:シリコン、埋め込み
デバイスの微細化が進み生じるトレンチへのシリコン膜埋め込み欠陥を改善する
新たな成膜手法について報告する。
新たな成膜手法について報告する。
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術
2015年9月14日(月) 13:15 〜 17:30 1C (135)
座長:中村 友二(富士通研),筑根 敦弘(大陽日酸)
15:45 〜 16:00
キーワード:シリコン、埋め込み