[14p-1C-1~16] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[14p-1C-13] 450mmφシリコンエピタキシャル成長の移動現象

〇山田 彩未¹、松井 美沙子¹、羽深 等¹ (1.横国大院工)

キーワード：シリコンエピ、450mmウエハ、移動現象

電子部品の生産効率を上げるために直径450mmφのSiウエハを用いることが計画されている。前報では、その表面におけるSiエピタキシャル成長速度について報告した。本研究では、その移動現象（熱、流れと反応）について詳細に考察した。その結果、ガス流のベクトルは外周側ほど外向きであり、基板の外側に至るまで流れベクトルを下向きにするには、回転数を上げる必要があることが示された。