[14p-1C-1~16] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[14p-1C-15] SiHCl₃によるシリコン成膜時の副生成物形成機構

桜井 あゆみ¹、齋藤 あゆ美¹、〇羽深 等¹ (1.横国大院工)

キーワード：シリコン、SiHCl3、副生成物

トリクロロシラン（SiHCl₃, TCS）ガスは、Siエピタキシャル薄膜を形成するために広く用いられているが、SiCl₂を主成分とする可燃性副生成物が排ガス系に堆積し、保守作業中に発火事故を起こす危険があるため、その生成機構を検討することが必要である。前報[2]では、排ガス中のSiCl₂濃度が水素濃度の減少と共に増大することを報告した。本報では、気相中のSiCl₂の生成過程を検討する。