2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[14p-1C-1~16] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2015年9月14日(月) 13:15 〜 17:30 1C (135)

座長:中村 友二(富士通研),筑根 敦弘(大陽日酸)

14:15 〜 14:30

[14p-1C-5] 表面濡れ性の違いによるPVAロールブラシの摩擦力と水のしみ出し挙動

〇(M1)西尾 賢哉1、真田 俊之1、福永 明2、檜山 浩國2 (1.静大工、2.荏原製作所)

キーワード:半導体、PVAブラシ、CMP後洗浄

CMP後洗浄に使用されるPVAブラシの洗浄メカニズムには未知な点が多い。我々はPVAブラシと表面との接触状況を解明するため、各種プレートとPVAロールブラシの摩擦測定を行った。その結果、接触角が大きいプレートほど摩擦力が高くなり、その摩擦係数の値から、表面とブラシは局所的に接触していることを示した。またロールブラシの衝突挙動を高速度撮影し、表面の濡れ性の違いにより水のしみ出し挙動に違いがあることを明らかにした。