[14p-2H-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[14p-2H-13] VO₂チャネルトランジスタのゲート電場に対する時間応答

〇矢嶋 赳彬^1,2、西村 知紀^1,2、鳥海 明^1,2 (1.東京大学、2.JST-CREST)

キーワード：モット転移、モットトランジスタ

VO₂の金属絶縁体転移を用いたトランジスタの、ゲート電場に対する時間応答を詳細に調べた。類似のメカニズムを持つVO₂の光誘起相転移に比べて、トランジスタの応答時間は桁で遅いことが分かった。その原因として、トランジスタのキャリア蓄積のメカニズムを詳細に調べたので報告する。