[14p-2H-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[14p-2H-6] LuFe_5-2xCo_xSi_xO₁₂ガーネット薄膜におけるスピングラス磁性

〇山原 弘靖¹、那須 英和¹、村田 哲也¹、足立 真輝¹、関 宗俊¹、田畑 仁¹ (1.東大院工)

キーワード：希土類鉄ガーネット、スピングラス

スピングラスの数学モデルは神経回路網におけるニューロンの発火現象との類似性が指摘されており、その磁気情報を信号として抽出することで脳機能を模倣した記憶素子の実現が期待される。本研究ではパルスレーザー堆積法(PLD法)により希土類鉄ガーネットの一部を非磁性元素で置換することで、スピンのランダムネスとフラストレーションを導入したLuFe_5-2xCo_xSi_xO₁₂単結晶薄膜を作製し、スピングラス磁性を超伝導量子干渉計(SQUID)によって詳細に調べた。