[14p-2Q-1~16] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

△ [14p-2Q-11] Al₂O₃絶縁膜上の横型MnAsナノワイヤの作製と評価

〇崎田 晋哉¹、原 真二郎¹ (1.北大量集センター)

キーワード：MnAs、ナノワイヤ、磁区

次世代の磁気記憶デバイス(レーストラックメモリ)への応用へ向け、我々は横型MnAsナノワイヤ(NW)の作製に関する研究を行ってきた。NWのみの電子物性評価を目的とし、本研究ではAl₂O₃絶縁膜上にMnAs NWを成長し、磁気力顕微鏡の評価を行った。MnAs NWの磁化方向は、外部印加磁場方向に依存せずNWの長軸方向以外にも磁区が形成されている。これは成長したMnAsの磁化容易軸がNW中でランダムに回転していることに起因すると考えられる。