[14p-2T-15~20] 17.2 Structure control and process

[14p-2T-16] Investigation on process condition of graphene selective growth on Ni interconnect

〇Tatsuro Saito¹, Daisuke Nishide², Atsunobu Isobayashi¹, Ban Ito³, Taishi Ishikura¹, Naoshi Sakuma¹, Tadashi Sakai¹, Akihiro Kajita¹ (1.Toshiba Corp., 2.Tokyo Electron, 3.Ebara Corp.)

Keywords:Semiconductor,Interconnect,Graphene

半導体デバイスの微細配線としては主に銅のダマシン配線が用いられるが、次世代のデバイスでは細線効果により電気抵抗率の急激な上昇が予想され、配線材料の代替が検討されている。我々は微細幅での低抵抗材料としてグラフェンの適用を目指し、Ni触媒をダマシン構造に形成しCarbon-CVD（C-CVD）法を用いてNi触媒上に選択的にグラフェンを形成する手法を提案している。今回、Ni成膜条件、C-CVDの条件によるグラフェン配線構造の変化を調べた。