[14p-2T-15~20] 17.2 構造制御・プロセス

[14p-2T-19] SiCファセット上のグラフェン横方向超格子の形成と物性（2）

〇(M2)福間 洸平¹、林 真吾¹、梶原 隆司¹、Visikovskiy Anton¹、田中 悟¹、飯盛 拓嗣²、家永 紘一郎²、矢治 光一郎²、中辻 寛²、小森 文夫²、田中 宏和³、神田 晶申³、Cuong Nguyen Thanh⁴、岡田 晋³ (1.九大院工、2.東大物性研、3.筑波大、4.NIMS)

キーワード：グラフェン、グラフェン横方向超格子、集束イオンビーム

半絶縁性４H-SiC上へFIB（集束イオンビーム）により微細加工を施し，[1-100]方向に４°オフした傾斜面を形成した．得られた傾斜面上に熱分解により，グラフェン横方向超格子（GLSL）をファセット上に成長させ，電気伝導測定を行った結果について述べる．