[14p-2T-1~14] 17.1 成長技術

[14p-2T-2] CVD法により合成したh-BN多層膜の合成と評価

〇近藤 大雄¹、林 賢二郎¹、片岡 真紗子¹、岩井 大介¹、佐藤 信太郎¹ (1.富士通研)

キーワード：2次元材料

我々はこれまで次世代チャネル材料としてシリコンを凌駕する電子移動度を示すグラフェンの高いポテンシャルに着目し、グラフェン合成及びチャネル作製プロセス開発を行ってきた。グラフェンの電気特性の向上のためにはその下地となる材料の選定が鍵となることが知られており、優れた絶縁性を示すh-BN（boron nitride）はその候補の一つである[1]。しかし、バルクに近い厚膜のh-BN、ないしは単層や数層h-BNの基板上合成について報告事例は多いものの[2-4]、グラフェンの下地として適用が可能な数nm程度の厚みの多層膜についてはほとんど報告がなされていない。そこで、本研究では電子デバイス応用を想定し大面積基板への展開も容易な化学気相成長法（CVD法）を用い、エピタキシャル金属触媒を用いてh-BN多層膜の合成条件の探索を行った。