2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.7 エピタキシーの基礎

[14p-2W-11~16] 15.7 エピタキシーの基礎

2015年9月14日(月) 16:45 〜 18:15 2W (234-2(北側))

座長:高橋 正光(原子力研究)

17:30 〜 17:45

[14p-2W-14] GaAs(001)表面上でのMn吸着サイト

〇大竹 晃浩1、萩原 敦2、船附 顕汰2、中村 淳2 (1.物材機構、2.電通大)

キーワード:表面再配列

GaAs(001)表面上におけるMn吸着サイトをRHEED、STM、XPS等の実験手法および第一原理計算を用いて系統的に調べた。0.25MLのMnが吸着した表面上での再配列構造は、表面のAs/Ga比の増加とともに、(2×2)α/(6×6)、(2×2)β、c(4×4)と変化した。各再配列表面に対して構造評価を行い、Asリッチなc(4x4)表面においてはMnは第三層目のGaサイトを置換するが、その他の(Asが少ない)表面においてはMnは格子間サイトに吸着することが明らかとなった。