2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.7 エピタキシーの基礎

[14p-2W-11~16] 15.7 エピタキシーの基礎

2015年9月14日(月) 16:45 〜 18:15 2W (234-2(北側))

座長:高橋 正光(原子力研究)

17:45 〜 18:00

[14p-2W-15] 応用物理ハンドブック第7章結晶成長等の再考

〇諏澤 寛源1 (1.反射層付LED創始者)

キーワード:溶液成長、移動現象、巨視的アプローチ

MOCVDでDBR-LEDを創始した年付近から,LED等量産はMOCVDが主流になったが,以前は溶液成長だった。成長界面はほぼ平衡だが,難溶性溶質の場合,成長困難となる。最近,それを克服してきた。応用物理ハンドブックの情報は大量だが,基礎が省略されている。掲載されている溶液初期過飽和が支配する場合の成長膜厚を見積る式は,液相組成により固相組成が変化する場合,応用物理学会で数学的根拠は示されていない。