2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[14p-2W-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2015年9月14日(月) 13:45 〜 16:30 2W (234-2(北側))

座長:矢口 裕之(埼玉大)

14:15 〜 14:30

[14p-2W-3] InAsSb/GaAs層上の面内超高密度InAs量子ドットの発光特性

〇鮫島 一樹1、山口 浩一1 (1.電通大S)

キーワード：分子線エピタキシー、量子ドット、インジウムヒ素