[14p-2W-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[14p-2W-9] キャップされたInAs量子ドットウェハの表面モホロジー制御～成長速度制御による表面隆起高さの増大～

〇角田 雅弘¹、車 一宏²、權 晋寛¹、太田 泰友¹、渡邉 克之^1,2、岩本 敏^1,2、荒川 泰彦^1,2 (1.東大ナノ量子機構、2.東大生研)

キーワード：分子線エピタキシー