The 76th JSAP Autumn Meeting, 2015

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Oral presentation

7 Beam Technology and Nanofabrication » 7.6 Ion beams

[14p-4E-1~21] 7.6 Ion beams

Mon. Sep 14, 2015 12:30 PM - 6:15 PM 4E (437)

座長:阿保 智(阪大),瀬木 利夫(京大),柳沢 淳一(滋賀県立大)

4:30 PM - 4:45 PM

[14p-4E-15] Influence of nano-protrusion of gas field ion emitter on He-ion current

〇Shigekazu Nagai1, Shu Katoh1, Tatsuo Iwata1, Kazuo Kajiwara1, Koichi Hata1 (1.Mie Univ.)

Keywords:Gas field ion emitter

電界電離型ガスイオン源(GFIS)は高輝度イオン源であるが,放射角電流密度dI/dΩが小さいので,イオンビーム開き角を制限し,かつ放出電流を可能な限り増強させる必要がある.本研究では,放出電流量の増強を目的に,改良した電界誘起酸素エッチング法によって作製されたナノ突起構造体の高さ,および原子配列の電界電離イオン電流に及ぼす影響について検討した.