[14p-CE-5~11] New functional GaN-based laser diodes and the applications

[14p-CE-5] Introduction

〇Takao Miyajima¹, Ryuji Katayama² (1.Meijo Univ., 2.Tohoku Univ.)

Keywords:GaN-based semiconductors,Semiconductor laser diodes

窒化物半導体レーザの世界初の実証が行われたのが1995年。今年で20年目を迎えます。本シンポジウムでは、当時の大変困難でかつ激しい競争を伴った研究開発の様子を振り返るとともに、今後の進展が期待される新機能半導体レーザの研究開発成果を様々な分野の研究者と議論して頂いて、新しい研究開発と産業の創生の一助として頂ければと考えます。新機能半導体レーザとしては、“超短パルスレーザ”と“面発光レーザ”を取り上げました。