The 76th JSAP Autumn Meeting, 2015

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Symposium » New functional GaN-based laser diodes and the applications

[14p-CE-5~11] New functional GaN-based laser diodes and the applications

Mon. Sep 14, 2015 2:15 PM - 5:45 PM CE (Century Hall)

座長:片山 竜二(東北大),宮嶋 孝夫(名城大)

3:00 PM - 3:30 PM

[14p-CE-7] Parametric RGB light sources pumped by GaN laser diode

〇Sunao Kurimura1, Hwan Hong Lim1, Shigeki Takeuchi2 (1.National Institute for Materials Science, 2.Kyoto University)

Keywords:Quasi Phase Matching,Parametric process,Nonlinear optics

ノーベル賞受賞を機にGaN系半導体レーザの研究は加速している。本招待講演では、GaN系半導体レーザを励起光源とするパラメトリックRGB三原色光源の可能性を探る。一般にピークパワーが低く波長変換が困難とされる半導体レーザでは、非線形パラメトリックデバイスに高い効率が要求される。ここでは高い効率をめざしてスラブ構造をもつ分極反転波長変換デバイスを提案する。導波路パラメトリック発生を用いることで任意の波長への下方変換が可能になりGaN系半導体レーザの405nmから多彩な波長においてコヒーレント光を得ることができる。またナノ微細電極による分極反転で周期に変調をかけることにより、発生するスペクトル形状の設計が可能になるため、レーザーディスプレイに適した低スペックル光源も設計できる。