[14p-PA10-1~16] 6.4 薄膜新材料

△ [14p-PA10-4] 希土類ドープNiOエピタキシャル薄膜の特性評価

〇(M1)高野 詩織¹、福田 大二¹、塩尻 大士¹、土嶺 信男²、金子 智³、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大、2.（株）豊島製作所、3.神奈川県産技セ)

キーワード：酸化ニッケル、希土類ドープ、ワイドバンドギャップ半導体