[14p-PA13-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[14p-PA13-10] 酸素ラジカルを用いて作製したTiO_2-δスパッタ薄膜の局所構造・電気特性

川村 欣也¹、鈴木 直哉¹、土屋 敬志¹、小林 正起²、組頭 広志²、〇樋口 透¹ (1.東理大理、2.高エネ研)

キーワード：酸化物半導体、酸化チタン、酸素ラジカル

本研究では酸素ラジカルを反応性ガスに用いたスパッタ法により、酸素欠陥と結晶格子を制御したTiO_2-δ薄膜を作製し、構造・電気特性を評価した。酸素ラジカル量を変える事で、結晶の配向性やキャリアー濃度や移動度に変化が見られた。また、クロスポイント構造を持つPt/TiO_2-δ/Ptにて良好なI-V特性を示した。