[14p-PA13-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[14p-PA13-8] バイアススパッタ法によるAl₂O₃ (001) 基板上への巨大ドメインVO₂薄膜の成長と転移特性

〇(D)ヌルーハニス ビンティアズハン¹、沖村 邦雄¹、ムスタファ ザグリウィ²、坂井 穣² (1.東海大院理工、2.トゥール大)

キーワード：二酸化バナジウム、バイアススパッタ法、相転移特性

基板バイアス印加反応性スパッタによる相転移VO₂薄膜成長において特定の基板バイアス印加によって数mm以上の巨大ドメインが支配的な特異成長モードが発現した．本研究では巨大ドメインVO₂薄膜の成長メカニズムとその転移特性について調べた．成膜時間30 minでは数百nmに近い結晶粒が現れ始め，40 minでは巨大ドメインが支配的となった．Raman分析により巨大ドメイン領域はストレスが強くM2相を経て高温相へ相転移することが分かった．