[14p-PB12-1~23] 15.4 III-V-group nitride crystals

[14p-PB12-1] Study on emission enhancement of GaN-LEDs with the surface coated in transparent oxide films

〇Tomoki Kabata¹, Mayuko Okada¹, Tatsuya Tsutsumi¹, Makoto Miyoshi¹, Takashi Egawa¹, Shuji Osono², Kazuhiro Honda², Hideaki Zama² (1.Nagoya Inst. of Tech, 2.ULVAC)

Keywords:Blue-LED

GaN系LEDの発光強度が、絶縁膜被覆により向上することが報告されている。本研究では、GaN系LEDのさらなる発光出力向上の可能性を検証するために、各種絶縁膜の構成とプロセス条件の影響を調べる実験に着手した。実験では、プラズマCVDによるSiO₂膜、ALD法によるAl₂O₃膜などを用いLEDの光強度増減について調べた。