[14p-PB12-1~23] 15.4 III-V-group nitride crystals

[14p-PB12-16] RF-MBE Growth of GaN on a Sapphire Substrate using an AlON Buffer Layer

〇taiki hata¹, Takahiro Yamazaki¹, Yusuke Yamane¹, Michiya Maeda¹, Kazuhide Kumakura², Hideki Yamamoto², Toshiki Makimoto¹ (1.Waseda Univ, 2.NTT BRL)

Keywords:MBE,GaN,AlON

AlON バッファー層は、サファイア基板側から、酸化アルミニウム(AlO)、酸素と窒素の組成を変化させたAlON 層、窒化アルミニウム(AlN)の順で構成されている。RF-MBE法を用いてこのAlONバッファー層上にGaN層を成長し、その特性の評価と比較を行った。その結果、高品質なGaN層を成長することが可能であることが分かったので報告する。