[14p-PB12-1~23] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14p-PB12-16] RF-MBE法におけるAlONバッファー層を用いたサファイア基板上GaN成長

〇畑 泰希¹、山﨑 隆弘¹、山根 悠介¹、前田 理也¹、熊倉 一英²、山本 秀樹²、牧本 俊樹¹ (1.早大理工、2.NTT物性基礎研)

キーワード：MBE、GaN、AlON

AlON バッファー層は、サファイア基板側から、酸化アルミニウム(AlO)、酸素と窒素の組成を変化させたAlON 層、窒化アルミニウム(AlN)の順で構成されている。RF-MBE法を用いてこのAlONバッファー層上にGaN層を成長し、その特性の評価と比較を行った。その結果、高品質なGaN層を成長することが可能であることが分かったので報告する。