[14p-PB12-1~23] 15.4 III-V-group nitride crystals

[14p-PB12-17] Optimal RF-MBE Growth Condition of GaN on Sapphire Substrate Using 2-step Growth

〇Yusuke YAMANE¹, Taiki Hata¹, Takahiro Yamazaki¹, Michiya Maeda¹, Kazuhide Kumakura², Hideki Yamamoto², Toshiki Makimoto¹ (1.Waseda Univ., 2.NTT BRL.)

Keywords:MBE,GaN

RF-MBE法を用いたGaNエピタキシャル成長において、低温GaNバッファー層（LT-GaN）における窒素プラズマ強度や、成長レート、膜厚が高温で成長したGaN層の特性に及ぼす影響を調べた。その結果低温バッファー層を最適化することによって、1 μmのGaNの特性を大幅に向上させることに成功したので報告する。