[14p-PB12-1~23] 15.4 III-V-group nitride crystals

[14p-PB12-8] First-Principles Calculation of Adsorption of Ga₂O on GaN(0001) Surface

〇Takahiro Kawamura^1,2, Akira Kitamoto², Mamoru Imade², Masashi Yoshimura², Yusuke Mori², Yoshitada Morikawa² (1.Mie Univ., 2.Osaka Univ.)

Keywords:GaN,Vapor phase epitaxy,First principles calculation

Ga₂OをGaソースとして用いるGaNの気相成長法は排気口を詰まらせる固体副生成物が無く連続成長が可能である事からバルクGaN成長法として期待されている．その成長過程を詳細に理解するため，本研究では第一原理計算を用いてGa₂O分子がGaN(0001)表面へ吸着する過程のシミュレーションを行った．またGaN(0001)面上のGa₂O吸着サイトについても検討した．