[14p-PB2-1~21] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14p-PB2-14] Ni/低Mgドープp形GaNショットキー接触の電流-電圧特性の温度依存性

〇青木 俊周¹、塩島 謙次¹ (1.福井大院工)

キーワード：p-GaN、ショットキー接触、I-V-T