[14p-PB2-1~21] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14p-PB2-16] オフ耐圧が2 kVを超えるGaN基板上AlGaN/GaN HEMTの耐圧制限要因

〇田邉 真一¹、渡邉 則之¹、松崎 秀昭¹ (1.NTT先デ研)

キーワード：GaN