[14p-PB2-1~21] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14p-PB2-17] GaN/AlN共鳴トンネルダイオードで生じる双安定性の評価

〇永瀬 成範¹、高橋 言緒¹、清水 三聡¹ (1.産総研)

キーワード：共鳴トンネルダイオード、窒化物半導体、有機金属気相成長法