The 76th JSAP Autumn Meeting, 2015

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15 Crystal Engineering » 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[14p-PB6-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

Mon. Sep 14, 2015 4:00 PM - 6:00 PM PB6 (Shirotori Hall)

4:00 PM - 6:00 PM

[14p-PB6-10] $\gamma$-ray irradiation for SiC MOSFETs from ROHM Co., Ltd.

〇Takahiro MAKINO1, Shinobu ONODA1, Mineo MIURA2, Takeshi OHSHIMA1 (1.JAEA, 2.ROHM Co., Ltd.)

Keywords:Silicon Carbide,Radiation Tolerance

SiC半導体デバイスの耐放射線性研究のための一般的知見を得ることを目的とし,ローム株式会社から市販されているSiC MOSFETとSi MOSFETに対してガンマ線照射を行い,照射後の各種電気特性の変動から,それぞれの耐放射線性の違いについて示し,それらの考察を行う.