The 76th JSAP Autumn Meeting, 2015

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15 Crystal Engineering » 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[14p-PB6-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

Mon. Sep 14, 2015 4:00 PM - 6:00 PM PB6 (Shirotori Hall)

4:00 PM - 6:00 PM

[14p-PB6-11] Effects of Gamma-ray Irradiation in Bias Condition on SiC MOSFETs Fabricated using Different Gate Oxidation Processes

〇(M1)KOICHI MURATA1,2, Satoshi Mitomo1,2, Takuma Matsuda1,2, Takashi Yokoseki1,2, Takahiro Makino2, Akinori Takeyama2, Shinobu Onoda2, Shuichi Okubo3, Yuki Tanaka3, Mikio Kandori3, Toru Yoshie3, Takeshi Ohshima2, Yasuto Hijikata1 (1.Saitama Univ., 2.JAEA, 3.Sanken Electric Co., Ltd)

Keywords:Silicon Carbide,MOSFET,Gamma ray

前回,SiC MOSFETのゲートに対し,正,負のバイアスを印加した状態でガンマ線照射を行いVthを調べ,正のバイアスにより酸化膜界面付近における正孔トラップの増加がSiC MOSFETのVthシフトを招いていることを示唆する結果を報告した。前回の実験ではゲート酸化膜形成(Dry酸化)後に100%N2O処理を行ったサンプルを使用していたが、今回はN2O処理がガンマ線照射効果に及ぼす影響を調べるため10%N2O処理により作製したサンプルのバイアス下でのガンマ線照射を行った。