[14p-PB6-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[14p-PB6-11] Effects of Gamma-ray Irradiation in Bias Condition on SiC MOSFETs Fabricated using Different Gate Oxidation Processes

〇(M1)KOICHI MURATA^1,2, Satoshi Mitomo^1,2, Takuma Matsuda^1,2, Takashi Yokoseki^1,2, Takahiro Makino², Akinori Takeyama², Shinobu Onoda², Shuichi Okubo³, Yuki Tanaka³, Mikio Kandori³, Toru Yoshie³, Takeshi Ohshima², Yasuto Hijikata¹ (1.Saitama Univ., 2.JAEA, 3.Sanken Electric Co., Ltd)

Keywords:Silicon Carbide,MOSFET,Gamma ray

前回，SiC MOSFETのゲートに対し，正，負のバイアスを印加した状態でガンマ線照射を行いV_thを調べ，正のバイアスにより酸化膜界面付近における正孔トラップの増加がSiC MOSFETのV_thシフトを招いていることを示唆する結果を報告した。前回の実験ではゲート酸化膜形成（Dry酸化）後に100%N₂O処理を行ったサンプルを使用していたが、今回はN₂O処理がガンマ線照射効果に及ぼす影響を調べるため10%N₂O処理により作製したサンプルのバイアス下でのガンマ線照射を行った。